Desarrollo de un Sistema de Inversión y Rectificación de Potencia con Tecnología Clase E y Transistores GaNFET.
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Resumen
Este trabajo presenta un sistema de inversión y rectificación de potencia para transformar energía eléctrica de corriente continua (CC) a diferentes valores de tensión y corriente en CC. Utilizando topologías clase E, se diseñan un inversor y un rectificador que minimizan las pérdidas de conmutación y maximizan la eficiencia. Para ello, se emplea un transistor de efecto de campo basado en nitruro de galio (GaNFET), que permite una menor resistencia de conducción y conmutar a frecuencias más altas que los MOSFET convencionales, alrededor de 2 MHz. El control del sistema se realiza manipulando la frecuencia de conmutación y el ciclo útil del GaNFET para mantener constante la tensión de salida y limitar la potencia de salida a menos de 10 W. La energía se convierte de CC a corriente alterna (CA) mediante el inversor y luego se rectifica de nuevo a CC, ajustando la amplitud y frecuencia de la CA para mantener la salida constante.
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Referencias
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