ENSAYO DE MOSFET DE POTENCIA PARA LA REGULACIÓN EN MICRO CENTRALES ELÉCTRICAS
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Resumen
En este trabajo se presentan los resultados y conclusiones del ensayo de un MOSFET de potencia (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor - Transistor Semiconductor de Oxido Metálico por Efecto de Campo), de enriquecimiento canal “n”.
El mismo está orientado a difundir las características de este dispositivo, usado generalmente en operaciones de control de potencia (como es el caso en Micro Centrales Eléctricas), con la técnica conocida como conmutación (Switching).
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